MRFE6S9201HR3 MRFE6S9201HSR3
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics (TC
= 25
°C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Typical Performances
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28
Vdc, IDQ
= 1400
mA, 865-900
MHz Bandwidth
Video Bandwidth @ 200 W PEP Pout
where IM3 = -30 dBc
(Tone Spacing from 100 kHz to VBW)
ΔIMD3 = IMD3 @ VBW frequency - IMD3 @ 100 kHz <1 dBc (both
sidebands)
VBW
?
10
?
MHz
Gain Flatness in 35 MHz Bandwidth @ Pout
= 40 W Avg.
GF
?
0.19
?
dB
Average Deviation from Linear Phase in 35 MHz Bandwidth
@ Pout
= 200 W CW
Φ
?
0.461
?
°
Average Group Delay @ Pout
= 200 W CW, f = 880 MHz
Delay
?
11.66
?
ns
Part-to-Part Insertion Phase Variation @ Pout
= 200 W CW,
f = 880 MHz, Six Sigma Window
ΔΦ
?
14.97
?
°
Gain Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔG
?
0.011
?
dB/°C
Output Power Variation over Temperature
(-30°C to +85°C)
ΔP1dB
?
0.39
?
dBm/°C
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